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原标题:Microchip宣布推出碳化硅产品,Microchip推出简单S

浏览次数:83 时间:2019-11-18

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Microchip Technology Inc.宣布,推出MCP73811和MCP73812锂离子/锂聚合物电池充电管理控制器。全新单电池器件采用5引脚SOT-23封装,可提供全集成充电管理功能,及高达500 mA的可选或可编程充电电流。新产品兼容USB,同时片上配备集成电流感应、传输晶体管及反向电池保护功能,实现更小巧、更具成本效益的设计。

汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。今日,Microchip Technology Inc.通过其子公司Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性,以及宽带隙技术优势。它们将与Microchip各类单片机和模拟解决方案形成优势互补,加入Microchip不断壮大的SiC产品组合,满足电动汽车和其他大功率应用领域迅速发展的市场需求。

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Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基势垒二极管将加入公司现有的SiC功率模块产品组合。该组合新增的超过35款分立器件产品均已实现量产,并通过了严格的耐用性测试,Microchip可提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。Microchip目前提供额定电压、额定电流和各类封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。

Microchip分立器件和功率产品管理事业部高级副总裁Rich Simoncic说:“SiC技术的演变和应用已开始加速发展,Microchip深耕这一市场多年,一直致力于满足全球市场对SiC产品日益增长的需求,保持全球领先的位置。我们利用可靠的产品来构建产品组合,并提供强大的基础架构和供应链支持,以满足客户执行和调整产品开发计划的需求。”

Microchip的SiC MOSFET和SBD可以更加高频高效地完成开关操作,并通过各级别的耐用性测试,这对于保障产品的长期可靠性至关重要。感应开关耐用性测试(该项测试旨在衡量雪崩情形下,即电压峰值超过器件的击穿电压,器件的退化和过早失效性能)表明,Microchip SiC SBD性能比其他SiC二极管高出20%左右。另外,Microchip的SiC MOSFET在性能方面同样优于同类产品,其具有良好的栅氧化层防护能力和通道完整性,即使在经历10万次重复UIS测试后,其参数仍能维持在正常水平。

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